2N1489 NPN Si 60V 75W NPN silicon mesa transistor

tranzistor BU326 (SU169 NPN 800V 6A

BU406

BU2520AF NPN 400v 8A Si

IRFBC40 N-Cmos 600V 6,2A tranzistor

IRF740 N-MOSFET 400V 10A 125W 0,55Ohm TO220

BUT12AF 8A 400V 125W /bez chlad/, T0220 náhrada MJF18008

bez zadní plochy-chlazení- bez kové plochy

KD649T Tesla NPN-Darl 100V,8A,60W TO3 bipolární, doprodáno

KDY74 NPN 120V 10A pro všeob.použití DOPRODÁNO, dále nedostupné

GC521 NPN 25V 0,2W TESLA retro

P10NK60Z ( BUZ 91A) N-kanál MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

KD367A KD367 NPN-Darl 60V/8A/60W

S2055N tranzistor , S2055AF - Toshiba NPN+Di 600V/1500V 8A 50W

S2055N, S2055AF - Toshiba NPN+Di 1500/700V 8A 50W 0,3us

SU161 NPN 1500/350V 2,5A RFT orig do rozklad části VN ČB televizory Orava

BF872 PNP 300V 0,1A 1,8W TO202 VF tranzistor- doprodáno, již nedostupné

Doprodáno, již nedostupné

SU161 2,5A Ucb 1500V spínací tranzistor pro řádkový rozklad TV

PCF84C81P/047 procesor TXT OTF

AC180k PNP 32V 1,5 A 2,5W RFT

Maximální ztrátový výkon kolektoru (Pc): 2,5 W Maximální napětí kolektoru-základna |Vcb|: 32 V Maximální napětí kolektor-emitor |Vce|: 16 V Maximální základní napětí emitoru |Veb|: 20 V Maximální proud kolektoru |Ic max|: 1,5 A Max. Provozní teplota spoje (Tj): 100 °C Přechodová frekvence...

KSY81 NPN bipolární 12V 200mA TESLA pro všeob. použití TO18 dále již nedostupné

IRFZ48 N-kanál Mos 55V 50A To220 skl 2ks

GC502 german.tranz. 32V 300mA

BF509 /BF506/ PNP 40V 30mA 0.3W 750MHz křemík TO92

BF506 55 Mhz PNP 40V 0,03A/ 30mA cena BF506 22,-Kč

Tranzist KT801B NPN 2A 80V 10MHz 5W Rus

Tranzist KT801B NPN 2A 80V 10MHz 5W Rus

Ekviv- BSX62, ku601, ku611, 2n1700, 2N4238 sklad 5 ks

KF630D - TESLA - NPN tranzistor pro VF zesilovače -NPN, do 470 MHz NOS,

NPN, do 470 MHzvývody AU/ZLAC./

2SD1858 NPN 40V 1A

NPN NF/E 50V/ 1A/ 1W/ 150MHz SD73 B C E 41c

IRF9530 Mosfet PNP 100V 12A TO220

2SC4159 NPN 180V 1,5A 15W TO220ML

BD651 NPN 120V 8A 62,5W TO220 BD645, BD647, BD649, BD651 NPN silikon power Darlington

ekv.ještě BDX53c

BU205

BU207

MJE18004 NPN S-P/SMPS 450V, 5A, 100W, >13MHz TO220 tranzistor

AC188 /GC512/ 32V 1A doprodáno

BD354 NPN 60V 3A 12,5W TO-66

IRF530 100V 16A N-Mosfet

IRFZ44 N-FET 60V/46A 150W 28mOhm TO220 =RFP50N06

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 50 A, Vds = 60 V, Pd = 150 W, Rds = 0,028 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 50 A Uds = 60 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,028 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220 IRFZ44 N-MOSFET 55V,49A,94W,0.017R TO220N-MOSFET 55V, 49A, 94W, 0.017R...

BUZ50A N-kanál 1000V 2,5A /2SK1119/ BUZ77A mosfet

ilustrační foto

2T809A 2t809A npn 400V 3A USSR

KT803A/2T803A NPN 60V 6A USSR BDY23

BD250C PNP 100V 25A 125W SOT93

2SK2750 tranzistorekv IRFB30C Mosfet N kanál 600V 3,5A

2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W, TO220F IRFB30C

BU2506DF

IRF640 N-FET 200V 18A 125W

Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 200V, 18A, 125W, TO220 IRF640PBF

BUT11AF / MJF18004 NPN 1000/450V 5A 20W 2MHz TO220

NPN 1000/450V 5A 20W 2MHz

BUT18AF Si/N 1000V/6A 0,8 us

BUT56A NPN 500/400V 7A 40W

BUK444-800 800V 2,4A SOT186 N-kanál Mosf

TIP147T PNP 10A 100V 125W Darlington SGS Thompson TO220TIP147T - Bipolární (BJT) , ,hFE

ilustrační foto

TIP147T PNP 10A 100V 125W Darlington SGS Thompson TO220

BUZ71A 60V/16A 45W TO220 13A, 50V, 0.120 Ohm, N-channel Power MOSFET

BUA10A, BUZ7, IRF53, IRF533, IRF543, RCA9212A, ECG66

BUX80 RFT Bipolární tranz NPN, THT, 400V, 10A, 100W, TO3 BUX80

KT611G 150V, 0,2A, 0,8W, >40MHz, HFE NPN silikon- video zes.Gold vývody ilustr foto

KT611G, 150V, 0,2A, 0,8W, >40MHz, HFE: Pc: Ic: Ft: CC:0. TJ: Caixa Pinos 2N3114S, Pinos-Pinout 2N3114S. 2N3115 NPN Silicio Chaveamento, BSS26 .2N3114S NPN Silicio Saida de video, BF257...259, BF657...659, BFR57...59

GT906A /ГТ906А / 75V 15W PNP germanium,

VÝROBCE USSR lze i za GT905A Šilelis, používáno v TV Junosť ranzistory GT906A s germaniaovou difuzní slitinou, pnp spínací struktury. Určené pro použití v napěťových měničích, spínacích a pulzních zesilovacích stupních radioelektronických zařízení.

104NU71 NPN Tesla 40V 250mA 250mA be 45-200, Doprodáno

IRBC30 tranzistor ekv 2SK2750 Mosfet N kanál 600V 3,5A

2SK2750 N-MOSFET 600V,3.5A,35W,1.7R TO220F IRFB30C

ADP671 GE výkonový tranzist -spínač ekv=TE71 PNP

Unitra-CEMI ADP671 Materiál tranzistoru: Ge Polarita: PNP Maximální ztrátový výkon kolektoru (Pc): 10 W Maximální napětí kolektoru-základna |Vcb|: 20 V Maximální základní napětí emitoru |Veb|: 10 V Maximální proud kolektoru |Ic max|: 1,5 A Max. Provozní teplota spoje (Tj): 90 °C ...

BUZ90, BUZ90A= IRFBC40,IRF830 N-FET 600V 4A

STP10NK6 P10NK6 N 600V 10A Mosfet Power

IRF830

BUV46A NPN spín., 450V, 5A, 70W, TO-220

KDY73 PNP 60V/15A 117W TO3 Tesla nF zesilovače

IRF540 100V 22A N-Mosf

IRFP640 MBR 200V 18A 125W

STP60NF06-ST N-FET 60V 60A 110W

BU208D N výkon.spínací 700V/8A/150W TO3 2SD951N výkon.spínací 700V/8A/150W TO3 2SD951

BU2508DF N 1500V/8A 45W SOT199 _

BC211 NPN 40V 1A

BD129 NPN 300V 0,5A 20W TO126

BD911 NPN 100V 15A 90W TO220 bipolární Tesla

BD912 PNP 100V 15A 90W TO220 bipolární

BF255 NPN 30V 30mA 220mW 220MHz TO92 do doprodání zásoby dále již nedostupné

IRFBC30 BUZ 90AF BUZ93AF Unipol N-kanál 600V 3,5A plast TO220 Mosfet Toschiba